کمپانی او سی زی در نمایشگاه CES امسال درایوهای SSD جدید سری Trion 100 خود را با پورت ساتا ۳ معرفی کرد.حالا OCZ نسل جدید این حافظه ها را که Trion 150 نام دارد را با حافظههای فلش TLC که لیتوگرافی ۱۵ نانومتری دارند معرفی کرده است. دارای سرعتی بیش از ۱۰۰ مگابایت بر ثانیهای است که در درایوهای ارزانقیمت مجهز به فلش TLC تجربه میکنیم و در واقع سرعت ۲.۴ برابر است.
در سری Trion 100 اوسیزی از حافظههای فلش TLC توشیبا A19 با لیتوگرافی ۱۹ نانومتری استفاده شده بود. در سری جدید تراین ۱۵۰، اوسیزی سراغ حافظههایی با لیتوگرافی ۱۵ نانومتری رفته است و به نظر میرسد که اکنون سندیسک و توشیبا در تولید انبوه حافظههای ۳D NAND با لیتوگرافی برتر، به نقاط خوبی رسیدهاند.
اوسیزی از تکنولوژی خاصی به اسم Direct-to-die در سری جدید استفاده کرده که در حقیقت اگر نوع نوشتن داده، ترتیبی باشد، داده بدون قرار گرفتن در بافر SLC مستقیماً روی حافظه ذخیره میشود. بافر کوچک SLC معمولاً سرعت عمل را کاهش میدهد و اگر بتوان آن را کنار گذاشت، وضعیت بهتر میشود.

